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Neues IEEE-Paper steht zum Abruf bereit

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Seit der vergangen Woche steht unser neues IEEE-Paper mit dem Titel „First-Principles Investigation of the Leakage Current through Strained SiO2 Gate Dielectrics in MOSFETs “ zum Abruf bereit.

IEEE: 978-1-4577-0430-7/11

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